電性測(cè)試：對(duì)半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能進(jìn)行測(cè)試，如電阻、電容、電感、電流、電壓等參數(shù)的測(cè)量。常見的測(cè)試方法有直流測(cè)試和交流測(cè)試。直流測(cè)試可以測(cè)量器件的靜態(tài)電學(xué)特性，如電阻值、導(dǎo)通電壓等；交流測(cè)試則可以測(cè)量器件的動(dòng)態(tài)電學(xué)特性，如頻率響應(yīng)、信號(hào)傳輸特性等。半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備

功能測(cè)試：驗(yàn)證半導(dǎo)體器件是否符合設(shè)計(jì)要求的功能。這需要模擬器件在實(shí)際應(yīng)用中的工作環(huán)境和信號(hào)輸入，檢測(cè)其輸出信號(hào)是否正確。例如，對(duì)于一個(gè)數(shù)字芯片，可以輸入各種邏輯信號(hào)，檢查其輸出的邏輯結(jié)果是否符合預(yù)期。

可靠性測(cè)試：評(píng)估半導(dǎo)體器件在特定條件下的可靠性和穩(wěn)定性。常見的可靠性測(cè)試方法包括：

加速老化測(cè)試：在高溫、高濕或高電壓等條件下加速半導(dǎo)體的老化過程，以預(yù)測(cè)其在正常工作條件下的壽命。

熱循環(huán)測(cè)試：將半導(dǎo)體樣品在高溫和低溫之間反復(fù)循環(huán)，測(cè)試其在溫度變化過程中的性能和可靠性，評(píng)估材料的熱應(yīng)力和熱疲勞性能。

濕熱測(cè)試：在高濕度環(huán)境中對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行測(cè)試，評(píng)估其在潮濕環(huán)境下的性能和可靠性。

電氣應(yīng)力測(cè)試：在額定電流和電壓條件下長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行半導(dǎo)體，檢測(cè)電流密度和電壓對(duì)半導(dǎo)體性能的影響。

靜電放電（ESD）測(cè)試：模擬靜電放電對(duì)半導(dǎo)體的影響，評(píng)估半導(dǎo)體對(duì)靜電放電的耐受能力。

機(jī)械應(yīng)力測(cè)試：通過振動(dòng)、沖擊等機(jī)械應(yīng)力對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行測(cè)試，評(píng)估其在機(jī)械沖擊和振動(dòng)環(huán)境下的可靠性。

形貌檢查：使用光學(xué)顯微鏡、電子顯微鏡、干涉儀等設(shè)備對(duì)半導(dǎo)體的表面形貌、結(jié)構(gòu)進(jìn)行檢測(cè)。例如，檢查晶圓的表面平整度、芯片的封裝結(jié)構(gòu)等，以確保半導(dǎo)體的物理結(jié)構(gòu)符合要求。

缺陷掃描檢查：檢測(cè)半導(dǎo)體晶圓或芯片上的缺陷和瑕疵，如劃痕、顆粒污染、晶體缺陷等。常用的檢測(cè)方法有光學(xué)檢測(cè)、電子束檢測(cè)等。光學(xué)檢測(cè)速度較快，但對(duì)于較小的缺陷檢測(cè)靈敏度有限；電子束檢測(cè)可以提供更高的分辨率和靈敏度，但檢測(cè)速度較慢。

成分分析：對(duì)半導(dǎo)體材料的化學(xué)成分進(jìn)行分析，以確定其純度和雜質(zhì)含量。常用的分析方法有光譜分析（如紅外光譜、拉曼光譜、X 射線熒光光譜等）、質(zhì)譜分析等。